IndiumPk™


引领行业创新,铸造差异化优势

在高端芯片封装领域,AMQ积极应对散热管理、机械变形与界面分层等技术难题。

材料创新突破:铟具备高延展率与卓越导热特性,使AMQ封装在复杂应用场景下优于传统工艺,最大限度降低界面应力并提升器件寿命产出率。

 

 

 

应用背景

Indium具有⾼热导率特性(86W/mK),作为TIM在HPC产品中有重要应⽤。

采⽤Indium可降低结壳温差(6-10°C@200-450W)和热阻(6jc<0.05°C/W@20x20mmchip).

可靠性验证

AMQ建立精准的仿真与过程监控体系,对铟密封过程进行量化分析和实时验证,确保器件翘曲与力学性能严格符合行业规范。

业界领导塑造

AMQ前瞻性材料选型和工艺创新,区别于沿用传统技术的同业,持续在AI、高算力及关键型电子领域以优异可靠性、低失效率、强产能表现定义行业标杆。

 

 

 

制程能力

封装特征

  • FCLGA/BGA-H≥50x50mm
  • 芯片大小:>20x21mm
  • lndium厚度:0.20mm-0.40mm
  • 背面金属化:Ni-Au(Die)/Ni-Au(Lid)
  • FCLGA【void <1%,Coverage>97%】
  • FCBGA【void <2.5%,Coverage>95%】

关键技术

  • 设计和仿真分析
  • Indium焊接工艺
  • 散热盖贴装工艺
  • 助焊剂喷涂工艺
  • Indium贴装工艺

 

 

客户价值新高地

AMQ秉持前瞻工程理念、精益管控和持续研发投入,成为高端先进封装领域的创新权威。客户与AMQ合作,不仅获得领先的封装设计与制程能力,还能实现可靠性量身定制与卓越集成性能,这在行业内极为稀缺。铟技术方案通过严谨实验及仿真一致性验证,确保每一颗封装都达到最优实效与价值。

您制定标准,AMQ负责引领与实现。

AMQ以大胆材料创新与技术流程升级,确保每个项目都具备突出创新力、可验证性能及持久可靠性,重新定义半导体封装的技术可能。我们的创新与研发,与客户需求和产业节奏深度协同,不断突破极限,在快速迭代的科技竞赛中助力客户打造真正差异化竞争优势。