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AMQ自豪成为业内首家将铟应用于芯片封装的专业OSAT服务商，率先开启电子器件可靠性与性能新纪元。
AMQ是中国大规模及多芯片封装创新领域的行业领导者，是国内首家成功实现最大尺寸芯片封装、并率先在国内完成“首个四芯集成封装”的OSAT提供商。这些成就充分展现了AMQ在该领域的技术实力与领先优势。
《Influence of surface roughness on interfacial reaction and shear strength ofindium thermal interface materials for FCBGA packaging》
随着电子设备朝着高功耗方向发展，纯铟正逐渐成为倒装芯片球栅阵列（FCBGA）封装产品理想的金属热界面材料（TIM），市场需求旺盛。确保铟热界面材料（TIM）在多次高温回流（HTR）工艺中的可靠性，仍然是FCBGA封装面临的挑战。本研究以盖板/铟/BSM芯片为研究对象，研究了170 -245℃温度范围内铟与各界面之间的润湿性，并系统分析了不同工艺条件对界面反应和剪切强度的影响。结果表明，提高温度和降低涂层表面粗糙度可改善铟与不同界面的润湿性。相比之下，表面粗糙度为0.4 < Ra <0.6的盖板能更好地满足FCBGA工艺要求。在低温回流（LTR）和多次高温回流条件下，主要断裂模式为韧性断裂。
01-30
2026
《Investigation on Thermal-Mechanical Reliability and Enhanced Fatigue Life of Indium Thermal Interface Materials for Large-Size Flip Chip Packaging》
随着大尺寸芯片热管理需求的增长，铟因其固有的高导热性和良好的延展性，被认为是一种理想的热界面材料（TIM）。对于大尺寸倒装芯片封装，如何提高可靠性，尤其是在温度循环条件下，仍然是一个挑战。本研究以大尺寸倒装芯片封装为研究对象，采用有限元模拟与实验相结合的方法，系统分析了温度循环下铟的蠕变行为和形态演变。在此分析的基础上，使用基于应变的 Coffin–Manson模型预测了铟的疲劳寿命。为了提高铟层在温度循环下的可靠性，采用实验设计（DOEs）模拟方案分析了不同结构参数对疲劳寿命的影响。结果表明，靠近芯片边缘位置的累积塑性应变最大，这与实际测量中观察到的裂纹位置一致。Coffin-Manson模型预测的铟层疲劳寿命与测量结果基本一致。信噪比（SNR）分析表明，铟层厚度对热疲劳寿命的影响最大，而胶粘剂厚度对热疲劳寿命的影响最小。与原始模型相比，优化后的封装结构疲劳寿命提高了135%。
《Investigation on Indium Thermal Interface Materials Fluxless Bonding Technology via In Situ Formed AgIn2 Coating》
铟（In）是大功率中央处理器（CPU）芯片广泛采用的焊料热界面材料（TIM1），这主要是因为它能提升散热性能。然而，铟焊料中残留的有机助焊剂在焊球回流过程中会释放气体，在铟TIM1中产生大量空洞（空洞率约为35%），这限制了其在先进球栅阵列（BGA）封装中的应用。在本文中，为了实现无焊剂铟回流并获得低空洞率的铟TIM1，在厚铟TIM1表面电镀一层薄银（Ag）层，以原位生成AgIn₂涂层，该涂层可以防止铟氧化。因此，回流过程中无需使用焊剂去除焊料的氧化层。经过一次铟回流和三次焊球回流后，通过扫描声学显微镜（SAM）确认形成了空洞率低（4.2%）的接头。同时，还获得了更好的传热能力和机械性能（提高了11.4%）。此外，还发现了一种新型的回流过程中AgIn₂涂层分解机制。在铟回流过程中，AgIn₂会分解为铟原子和银原子，银原子可以提高焊料的润湿性和接头的剪切强度。
《Investigation on warpage characteristics for ultra- large MCM FCBGA package based on material-structure co-design and intelligent optimization》
人工智能（AI）和高性能计算（HPC）对计算能力需求的增加，推动了多芯片集成和大规模封装方法的显著进步。这使得多芯片模块（MCM）封装成为一种突出的技术手段。然而，硅芯片与有机基板之间的热膨胀系数（CTE）不匹配会导致翘曲加剧，进而引发诸如凸点桥接、不润湿和焊球开裂等工艺和可靠性问题。因此，翘曲控制已成为此类产品的关键问题。本研究提出了一种结合材料 -结构协同设计和混合智能优化的翘曲控制方法。通过阴影云纹实验验证的4芯片102 mm ×102 mm倒装芯片球栅阵列（FCBGA）封装仿真模型，预测误差 ≤7.4%。翘曲呈现出受芯片布局影响的非均匀波浪图案，关键影响因素包括芯片间距、基板热膨胀系数、ring环热膨胀系数、环脚宽度和厚度。定制的响应面法（RSM）能够准确模拟非线性耦合效应，而混合 NSGA - II 和 PSO算法可优化翘曲。全参数优化使30 °C时的翘曲降低了33.5%（138.5 μm），245 °C时降低了88.3%（28.6 μm），而仅对ring环进行优化时，30 °C时的翘曲改善更为显著，降低了50.9%（102.2 μm），245 °C时降低了32.2%（166.4 μm）。所提出的方法为大规模 MCM封装的翘曲控制提供了新的思路和有效的策略。
