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13
2024
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安牧泉公司铟片技术应用获得重要进展
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随着以ChatGPT为代表的生成式AI大模型风靡全球，应用于服务器、Al领域的CPU、GPU、DPU等高端芯片产品，朝着高算力方向发展，功耗大、散热要求高。而实际芯片封装过程中，普遍使用的热界面材料（TIM）热导率低（4~6W/mK），一定程度上制约着产业发展。
在高端芯片封装领域，铟（Indium）的导热性和物理性能，使其散热性能大大优于其他金属材料，导热系数可达86W/mK，可显著降低封装热阻、提高产品性能，在HPC产品中有重要的应用前景。
历经一年技术攻关，安牧泉项目团队在高端芯片倒装封装中铟片技术的应用方面取得重要进展，面临焊接空洞率高、铟溢出/溅射、翘曲引起界面开裂等系列工艺和可靠性挑战，通过不断升级结构布局设计、优化参数工艺、控制技术材料等，解决大算力场景下高端芯片“功耗墙”等问题。
FC-LGA
▲真空回流后，铟片空洞率＜1%（图左），覆盖率＞96%（图右）
FC-BGA
▲多次回流后，铟片空洞率＜5%（图左），覆盖率＞95%（图右）
目前安牧泉具备FC-LGA 铟片封装能力并已实现小批量试样，针对大尺寸芯片的FC-LGA产品，铟片焊接后空洞率＜1%、覆盖率＞96%；应用于FC-BGA的铟片在多次回流后空洞率＜5%、覆盖率＞95%。2024年，安牧泉FC-BGA及MCM FC-LGA铟片封装技术有望具备稳定量产能力。
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